各向同性蚀刻

湿蚀刻

湿蚀刻是光刻以后的细微生产过程，该操作过程中应用化合物除去晶圆层。晶圆，也称之为基材，通常是平面图表层，在其中加上了很薄的原材料层，以作为电子器件和微流体设备的基本；较多见的晶圆是由硅或夹层玻璃做成的。干法离子注入是半导体器件，微机械设备和微流控机器设备中的主要全过程，必须微限度的特性来提升特性或建立层.流态，这在宏观经济上几乎是不太可能得到的。因为可以根据更改蚀刻剂浓度值和蚀刻时间来轻轻松松操纵z轴蚀刻，因而常见于分层次运用。缺陷包含很多有机化学废弃物，在其中很多是高酸碱性和多步全过程。

在蚀刻以前，必须遮盖衬底的地区以得到元器件需要的详尽作用。在称之为光刻的历程中，将感光光刻胶旋涂抹晶圆上。随后将芯片预烤制以去除光刻胶中不必要的有机溶剂。随后将具备所需特点的创口的掩模置放在光致抗蚀剂的顶端，并应用紫外光固化一切曝出的光致抗蚀剂。现在可以对涂敷的芯片开展干法蚀刻以将需要的图案设计手工雕刻到芯片中。

各向同性蚀刻

各向同性蚀刻，即在全部方位上父相同的蚀刻，就是指板材的大方向不危害蚀刻剂除去原材料的方法。当将腐蚀剂（一种腐蚀化工品）增加到被掩膜的晶圆处时，在全部方位上未被掩膜遮盖的地区中，蚀刻会以同样的速度产生，进而造成倒圆的边沿。假如容许蚀刻剂反映充足长的时间，如下图1所显示，蚀刻剂将蚀刻掉称之为掩模底切的掩模下的基材原材料。可以利用在底切掩模前先清洗掉蚀刻剂，随后在安全通道上增加光刻胶来防止这样的事情。墙面，随后加入大量的蚀刻剂。根据加上缓冲溶液以更改浓度值或根据上升/减少温度，可以很容易地操纵蚀刻速度。

当必须细微生产加工精准特点时，各向同性蚀刻并非梦想的，因为它的专一性较弱且无法操纵。

各种各样蚀刻

各向异性蚀刻，即在不一样方位内以不一样速度产生的蚀刻，在于衬底晶向的方位。

因为硅的单晶体构造，一些蚀刻剂可以依据硅的趋向顺着一些平面图或视角可选择性地蚀刻硅。例如，应用KOH做为在<100>结晶方位上对硅开展蚀刻的化学品，其可选择性比应用KOH在<111>方位上对硅开展蚀刻的选择率高400倍。根据更改时间，蚀刻化合物和硅晶体趋向，可以在硅晶片中蚀刻很多不一样的形态和安全通道。

为了更好地各种各样地蚀刻例如夹层玻璃的原子晶体原材料，必须应用非蚀刻饱和溶液的层.流紧紧围绕蚀刻化合物。这在衬底和蚀刻剂中间建立了天然屏障，并保证仅除去与蚀刻剂触碰的需要地区。保证仅对夹层玻璃的特殊地区开展蚀刻。

一般板材和蚀刻剂