各向同性蚀刻

湿蚀刻

湿蚀刻是光刻后的微加工过程，用化学物质去除晶圆层。晶圆，又称基板，通常是平面表面，用作电子和微流体设备流体设备的基础；较常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿蚀刻是半导体制造、微机械和微流控设备的重要过程，需要微尺度的特性来优化性能或创建层流，这在宏观上几乎是不可能的。z轴蚀刻常用于分层应用，因为它可以通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制。缺点包括许多化学废物，其中许多是高酸性和多步过程。

蚀刻前，需要覆盖底部区域，以获得设备所需的详细功能。在称为光刻的过程中，将光敏光刻胶旋转到晶圆上。然后预烘烤晶片，以去除光刻胶中多余的溶剂。然后将具有所需特性的切口掩模放置在光学耐腐蚀剂的顶部，并用紫外线固化任何暴露的光学耐腐蚀剂。涂层晶片现在可以湿蚀刻，以雕刻所需的图案。

各向同性蚀刻

各向同性蚀刻，即各方向均匀蚀刻，是指基材方向不影响蚀刻剂去除材料的方法。腐蚀剂(一种腐蚀性化学物质)施加到覆盖的晶圆上时，蚀刻会以同样的速度发生在覆盖所有方向的区域，从而产生倒圆的边缘。如果允许蚀刻剂反应足够长时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻剂称为掩模底部切割的基板材料。蚀刻剂可以在底掩模前冲洗掉，然后在通道上施加光刻胶，以避免这种情况。在墙上加入更多的蚀刻剂。蚀刻速率可以通过添加缓冲液来改变浓度或提高/降低温度来轻松控制。

各向同性蚀刻不理想，因为它的方向性不强，难以控制。

各向异性蚀刻

各向异性蚀刻，即在不同方向上以不同速率产生的蚀刻，取决于衬底晶面的方向。

由于硅的单晶结构，一些蚀刻剂可以根据硅的方向沿着某些平面或角度选择性地蚀刻硅。例如，使用KOH作为在<100>晶体方向上蚀刻硅的化学药物的选择性比KOH在<111>硅蚀刻在方向上的选择率是400倍。蚀刻化学物质和硅晶体的方向可以通过改变时间在硅晶片中蚀刻许多不同的形状和通道。

为了对玻璃等非晶体材料进行各向异性蚀刻，需要在蚀刻化学物质周围使用非蚀刻溶液的层流。这在衬底和蚀刻剂之间形成了屏障，并确保只去除与蚀刻剂接触的所需区域。确保只蚀刻玻璃的特定区域。